Référence fabricant | GBU6J |
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Numéro de pièce future | FT-GBU6J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU6J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU6J-FT |
KBU4A
ON Semiconductor
KBU4B
ON Semiconductor
KBU4D
ON Semiconductor
KBU4G
ON Semiconductor
KBU4J
ON Semiconductor
KBU4K
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KBU4M
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2KBP005M
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2KBP01M
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2KBP02M
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EPF10K50ETC144-2
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XC3S2000-4FG456I
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A3P125-PQG208
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A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
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XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
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EP20K1000EBC652-1X
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