Référence fabricant | DFB2560 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DFB2560 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DFB2560 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 25A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, TS-6P |
Package d'appareils du fournisseur | TS-6P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFB2560 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFB2560-FT |
KBU4K
ON Semiconductor
KBU4M
ON Semiconductor
2KBP005M
ON Semiconductor
2KBP01M
ON Semiconductor
2KBP02M
ON Semiconductor
2KBP04M
ON Semiconductor
2KBP06M
ON Semiconductor
2KBP08M
ON Semiconductor
2KBP10M
ON Semiconductor
3N246
ON Semiconductor
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel