Référence fabricant | 2KBP08M |
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Numéro de pièce future | FT-2KBP08M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2KBP08M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3.14A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, KBPM |
Package d'appareils du fournisseur | KBPM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2KBP08M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2KBP08M-FT |
GHXS010A060S-D1
Global Power Technologies Group
W01M
GeneSiC Semiconductor
W02M
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-100
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-120
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-140
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-160
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M3P75A-40
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-60
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M3P75A-80
GeneSiC Semiconductor
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C25E144C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
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A42MX09-1PQG160M
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LFE3-17EA-6MG328C
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LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
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EP2SGX90FF1508I4
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