Référence fabricant | W02M |
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Numéro de pièce future | FT-W02M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W02M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Circular, WOM |
Package d'appareils du fournisseur | WOM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W02M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W02M-FT |
VUO55-12NO7
IXYS
VUO50-16NO3
IXYS
VUO50-12NO3
IXYS
VUO35-18NO7
IXYS
VUO22-08NO1
IXYS
VUO22-12NO1
IXYS
VUO22-14NO1
IXYS
VUO22-16NO1
IXYS
VUO22-18NO1
IXYS
VUO34-08NO1
IXYS
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel