maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VUO35-18NO7
Référence fabricant | VUO35-18NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VUO35-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VUO35-18NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Three Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.8kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 38A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 15A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 1800V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | PWS-A |
Package d'appareils du fournisseur | PWS-A |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO35-18NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VUO35-18NO7-FT |
MB358W-BP
Micro Commercial Co
LMB10S-TP
Micro Commercial Co
KBP210G-BP
Micro Commercial Co
KBP208G-BP
Micro Commercial Co
KBP206G-BP
Micro Commercial Co
KBP204G-BP
Micro Commercial Co
KBP202G-BP
Micro Commercial Co
KBP201G-BP
Micro Commercial Co
KBP408G-BP
Micro Commercial Co
KBP310G-BP
Micro Commercial Co
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel