Référence fabricant | 2KBP10M |
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Numéro de pièce future | FT-2KBP10M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2KBP10M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3.14A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, KBPM |
Package d'appareils du fournisseur | KBPM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2KBP10M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2KBP10M-FT |
W01M
GeneSiC Semiconductor
W02M
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-100
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-120
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-140
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-160
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-40
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-60
GeneSiC Semiconductor
M3P75A-80
GeneSiC Semiconductor
KBU8M
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel