maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M39L0R8090U3ZE6F TR
Référence fabricant | M39L0R8090U3ZE6F TR |
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Numéro de pièce future | FT-M39L0R8090U3ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M39L0R8090U3ZE6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 133-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 133-VFBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M39L0R8090U3ZE6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M39L0R8090U3ZE6F TR-FT |
M29W320DB80ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400BT90M1T TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB45N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB55N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT45N6E
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel