maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M39L0R8090U3ZE6F TR
Référence fabricant | M39L0R8090U3ZE6F TR |
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Numéro de pièce future | FT-M39L0R8090U3ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M39L0R8090U3ZE6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 133-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 133-VFBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M39L0R8090U3ZE6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M39L0R8090U3ZE6F TR-FT |
M29W320DB80ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400BT90M1T TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB45N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB55N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT45N6E
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation