maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M39L0R8090U3ZE6F TR
Référence fabricant | M39L0R8090U3ZE6F TR |
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Numéro de pièce future | FT-M39L0R8090U3ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M39L0R8090U3ZE6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 133-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 133-VFBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M39L0R8090U3ZE6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M39L0R8090U3ZE6F TR-FT |
M29W320DB80ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400BT90M1T TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB45N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB55N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT45N6E
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
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5SGSED6N1F45I2N
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XC5VFX130T-1FFG1738I
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XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
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