maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W400BT90M1T TR
Référence fabricant | M29W400BT90M1T TR |
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Numéro de pièce future | FT-M29W400BT90M1T TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W400BT90M1T TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 90ns |
Temps d'accès | 90ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-SOIC (0.525", 13.34mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400BT90M1T TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W400BT90M1T TR-FT |
M29F800DB70M1
Micron Technology Inc.
M29F800DB70M6
Micron Technology Inc.
M29F800DB70M6E
Micron Technology Inc.
M29F800DT70M6
Micron Technology Inc.
M29F800DT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F800FB52M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel