maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29F800DB70M6
Référence fabricant | M29F800DB70M6 |
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Numéro de pièce future | FT-M29F800DB70M6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29F800DB70M6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-SOIC (0.525", 13.34mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800DB70M6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29F800DB70M6-FT |
M27W801-100N6
STMicroelectronics
M28W160CT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W160ECB70ZB6U TR
Micron Technology Inc.
M28W160FSB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W160FST70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W320HCB70D11
Micron Technology Inc.
M28W320HST70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel