maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M28W640HCB70ZB6E
Référence fabricant | M28W640HCB70ZB6E |
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Numéro de pièce future | FT-M28W640HCB70ZB6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M28W640HCB70ZB6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (6.39x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M28W640HCB70ZB6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M28W640HCB70ZB6E-FT |
LH5116NA-10
Sharp Microelectronics
LH5116NA-10F
Sharp Microelectronics
LHF00L31
Sharp Microelectronics
M24128-BFCS6TP/A
STMicroelectronics
M25P05-AVMB6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P10-AVMB3TP/Y TR
Micron Technology Inc.
M25P10-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P16-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P20-AV3D11
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB3TPB TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation