maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29F800FB55N3F2 TR
Référence fabricant | M29F800FB55N3F2 TR |
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Numéro de pièce future | FT-M29F800FB55N3F2 TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29F800FB55N3F2 TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800FB55N3F2 TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29F800FB55N3F2 TR-FT |
M28W640HCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB5AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N3E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel