maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W400DB55N6F TR
Référence fabricant | M29W400DB55N6F TR |
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Numéro de pièce future | FT-M29W400DB55N6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W400DB55N6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB55N6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W400DB55N6F TR-FT |
M29F800DB70M6E
Micron Technology Inc.
M29F800DT70M6
Micron Technology Inc.
M29F800DT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F800FB52M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
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XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel