maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29F800FB5AN6E2
Référence fabricant | M29F800FB5AN6E2 |
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Numéro de pièce future | FT-M29F800FB5AN6E2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29F800FB5AN6E2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800FB5AN6E2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29F800FB5AN6E2-FT |
M29DW127G70NF6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB5AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70N3E
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB7AN6F TR
Micron Technology Inc.