maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29DW323DB70ZE6F TR
Référence fabricant | M29DW323DB70ZE6F TR |
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Numéro de pièce future | FT-M29DW323DB70ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29DW323DB70ZE6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW323DB70ZE6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29DW323DB70ZE6F TR-FT |
M25P40-VMP6TGB0D TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VD11
Micron Technology Inc.
M25PE20-V6D11
Micron Technology Inc.
M25PE40-VMC6G
Micron Technology Inc.
M25PX16-V6D11
Micron Technology Inc.
M25PX32-VMW6E
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMN6TP00
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMN6TPZ1 TR
Micron Technology Inc.
M27C1001-10C1
STMicroelectronics
M27C1001-10C6
STMicroelectronics
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel