maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W400DB55ZE6F TR
Référence fabricant | M29W400DB55ZE6F TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M29W400DB55ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W400DB55ZE6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (6x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB55ZE6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W400DB55ZE6F TR-FT |
M29F800DT70M6
Micron Technology Inc.
M29F800DT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F800FB52M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel