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Référence fabricant | M29W160EB70N3E |
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Numéro de pièce future | FT-M29W160EB70N3E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W160EB70N3E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W160EB70N3E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W160EB70N3E-FT |
MT29F4G08ABADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABCHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel