maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F4G16ABADAH4:D
Référence fabricant | MT29F4G16ABADAH4:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4G16ABADAH4:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G16ABADAH4:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABADAH4:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G16ABADAH4:D-FT |
MT41K128M16JT-125 M:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 V:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-093:N TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-107:N
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-107:N TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16RE-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 XIT:P
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation