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Référence fabricant | MT29F4G16ABBDAH4-IT:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4G16ABBDAH4-IT:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G16ABBDAH4-IT:D-FT |
MT41K128M16JT-125 V:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-093:N TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-107:N
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-107:N TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16RE-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 XIT:P
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 IT:J
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel