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Référence fabricant | MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D-FT |
MT41K128M16HA-15E:D
Micron Technology Inc.
MT41K128M16HA-187E:D
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AAT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 M:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 M:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 V:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-093:N TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-107:N
Micron Technology Inc.
MT41K256M16LY-107:N TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel