maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41K128M16JT-125 M:K
Référence fabricant | MT41K128M16JT-125 M:K |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT41K128M16JT-125 M:K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K128M16JT-125 M:K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 13.75ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 96-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 96-FBGA (8x14) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K128M16JT-125 M:K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K128M16JT-125 M:K-FT |
MT46H8M16LFBF-5:K
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-5:K TR
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-6 AT:K
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFBF-6:K
Micron Technology Inc.
W947D6HBHX5E TR
Winbond Electronics
W947D6HBHX5I TR
Winbond Electronics
W947D6HBHX6E
Winbond Electronics
W947D6HBHX6E TR
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel