maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29DW641F70N6E
Référence fabricant | M29DW641F70N6E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M29DW641F70N6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29DW641F70N6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW641F70N6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29DW641F70N6E-FT |
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABCHC-ET:C
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABCHC:C
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABCHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel