maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1G08ABCHC-ET:C
Référence fabricant | MT29F1G08ABCHC-ET:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1G08ABCHC-ET:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G08ABCHC-ET:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABCHC-ET:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G08ABCHC-ET:C-FT |
MT41K64M16TW-107 AAT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-DR-F-D
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-DR-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-GX-F-D
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel