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Référence fabricant | MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E-FT |
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AAT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-DR-F-D
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-DR-F-R TR
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel