maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1G08ABCHC:C TR
Référence fabricant | MT29F1G08ABCHC:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1G08ABCHC:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G08ABCHC:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABCHC:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G08ABCHC:C TR-FT |
MT41K64M16TW-107 AUT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-DR-F-D
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-DR-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-GX-F-D
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-GX-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation