maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M27C256B-15F1
Référence fabricant | M27C256B-15F1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M27C256B-15F1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M27C256B-15F1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - UV |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CDIP Frit Seal with Window |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C256B-15F1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M27C256B-15F1-FT |
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
R1LP0408DSB-5SI#S1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#HA1
Renesas Electronics America
R1LP0408DSB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LP0408DSB-5SI#S0
Renesas Electronics America
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel