maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / R1LP0408DSB-5SI#B0
Référence fabricant | R1LP0408DSB-5SI#B0 |
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Numéro de pièce future | FT-R1LP0408DSB-5SI#B0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R1LP0408DSB-5SI#B0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-TSOP II |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LP0408DSB-5SI#B0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R1LP0408DSB-5SI#B0-FT |
W631GU6KB-15
Winbond Electronics
W631GU6KB-15 TR
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W631GU6KB12I
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W631GU6KB12I TR
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W631GU6KB15I
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W632GG6KB-11
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