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Référence fabricant | M24C08-FMN6TP |
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Numéro de pièce future | FT-M24C08-FMN6TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M24C08-FMN6TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 900ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C08-FMN6TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M24C08-FMN6TP-FT |
W97BH6KBVX2I
Winbond Electronics
THGBMHG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIT
Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
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A40MX02-VQ80M
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LCMXO3L-4300C-6BG400I
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EP4SGX290NF45I4N
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XC7VX690T-2FFG1761C
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XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
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A42MX24-3PLG84I
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5SGXMA3H2F35C2N
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