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Référence fabricant | THGBMHG8C4LBAWR |
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Numéro de pièce future | FT-THGBMHG8C4LBAWR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | e•MMC™ |
THGBMHG8C4LBAWR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 52MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | eMMC |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 153-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 153-WFBGA (11.5x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THGBMHG8C4LBAWR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | THGBMHG8C4LBAWR-FT |
W25Q256JVCIQ
Winbond Electronics
W25Q256JVCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JVTCIQ
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W25Q32JVTCIQ TR
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W25Q64JVTCIQ
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W25Q64JVTCIQ TR
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W25Q128FVCIF
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W25Q128FVCIG
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W25Q128FVCIG TR
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W25Q128FVCIP
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LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel