maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / JANTX2N6770T1
Référence fabricant | JANTX2N6770T1 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX2N6770T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JANTX2N6770T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-254AA |
Paquet / caisse | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N6770T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX2N6770T1-FT |
IXTM5N100
IXYS
IXTM5N100A
IXYS
IXTM67N10
IXYS
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IXTV03N400S
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IXTV102N20T
IXYS
IXTV102N25T
IXYS
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel