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IXYS IXTM5N100

Numéro de pièce MFG
IXTM5N100
quantité disponible
23650 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
IXYS
Brève description
- POWER MOSFET TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTM5N100.pdf
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IXTM5N100 Caractéristiques

Référence fabricant IXTM5N100
Numéro de pièce future FT-IXTM5N100
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTM5N100 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Last Time Buy
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-204AA
Paquet / caisse TO-204AA, TO-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTM5N100 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTM5N100-FT

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