maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTV102N20T
Référence fabricant | IXTV102N20T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTV102N20T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchHV™ |
IXTV102N20T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 102A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 750W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS220 |
Paquet / caisse | TO-220-3, Short Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTV102N20T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTV102N20T-FT |
IXFM15N60
IXYS
IXFM1627
IXYS
IXFM1633
IXYS
IXFM1766
IXYS
IXFM35N30
IXYS
IXFM42N20
IXYS
IXFM67N10
IXYS
IXFR15N100Q
IXYS
IXFR16N90Q
IXYS
IXFR20N80Q
IXYS
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel