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IXYS IXTM67N10

Name: IXTM67N10
Brand: IXYS
SKU: IXTM67N10
Availability: InStock
Rating: 4.6 (456 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTM67N10

quantité disponible: 90430 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: GigaMOS™ POWER MOSFET TO-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTM67N10.pdf

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IXTM67N10 Caractéristiques

Référence fabricant	IXTM67N10
Numéro de pièce future	FT-IXTM67N10
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	GigaMOS™
IXTM67N10 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Last Time Buy
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	67A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-204AE
Paquet / caisse	TO-204AE
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTM67N10 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTM67N10-FT

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