maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6472US
Référence fabricant | JAN1N6472US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6472US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/552 |
JAN1N6472US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15V |
Tension - Panne (Min) | 16.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 26.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 322A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, G |
Package d'appareils du fournisseur | G-MELF (D-5C) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6472US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6472US-FT |
JAN1N6147
Microsemi Corporation
JAN1N6147AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6147US
Microsemi Corporation
JAN1N6148
Microsemi Corporation
JAN1N6148AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6148US
Microsemi Corporation
JAN1N6149
Microsemi Corporation
JAN1N6149AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6149US
Microsemi Corporation
JAN1N6150
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
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APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel