maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6149
Référence fabricant | JAN1N6149 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6149 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6149 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15.2V |
Tension - Panne (Min) | 18.05V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 29.09V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 51.49A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6149 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6149-FT |
JAN1N6121US
Microsemi Corporation
JAN1N6122
Microsemi Corporation
JAN1N6122A
Microsemi Corporation
JAN1N6122AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6122US
Microsemi Corporation
JAN1N6123
Microsemi Corporation
JAN1N6123A
Microsemi Corporation
JAN1N6123AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6123US
Microsemi Corporation
JAN1N6124
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel