maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6123
Référence fabricant | JAN1N6123 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6123 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6123 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 38.8V |
Tension - Panne (Min) | 46.08V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 73.61V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6.75A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6123 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6123-FT |
JAN1N5653A
Microsemi Corporation
JAN1N5655A
Microsemi Corporation
JAN1N5660A
Microsemi Corporation
JAN1N5772
Microsemi Corporation
JAN1N6036A
Microsemi Corporation
JAN1N6039A
Microsemi Corporation
JAN1N6043A
Microsemi Corporation
JAN1N6044A
Microsemi Corporation
JAN1N6045A
Microsemi Corporation
JAN1N6047A
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel