maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6147US
Référence fabricant | JAN1N6147US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6147US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6147US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12.2V |
Tension - Panne (Min) | 14.44V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 23.42V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 63.94A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, C |
Package d'appareils du fournisseur | C, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6147US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6147US-FT |
JAN1N6120US
Microsemi Corporation
JAN1N6121
Microsemi Corporation
JAN1N6121A
Microsemi Corporation
JAN1N6121AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6121US
Microsemi Corporation
JAN1N6122
Microsemi Corporation
JAN1N6122A
Microsemi Corporation
JAN1N6122AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6122US
Microsemi Corporation
JAN1N6123
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
5CEBA7F27C8N
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
XC7V2000T-G2FHG1761E
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel