maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6147US
Référence fabricant | JAN1N6147US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6147US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6147US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12.2V |
Tension - Panne (Min) | 14.44V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 23.42V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 63.94A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, C |
Package d'appareils du fournisseur | C, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6147US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6147US-FT |
JAN1N6120US
Microsemi Corporation
JAN1N6121
Microsemi Corporation
JAN1N6121A
Microsemi Corporation
JAN1N6121AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6121US
Microsemi Corporation
JAN1N6122
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JAN1N6122A
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JAN1N6122AUS
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JAN1N6122US
Microsemi Corporation
JAN1N6123
Microsemi Corporation
EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
EPF10K30EQC208-2
Intel