maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6150
Référence fabricant | JAN1N6150 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 16.7V |
Tension - Panne (Min) | 19.86V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 32.03V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 46.74A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6150-FT |
JAN1N6122AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6122US
Microsemi Corporation
JAN1N6123
Microsemi Corporation
JAN1N6123A
Microsemi Corporation
JAN1N6123AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6123US
Microsemi Corporation
JAN1N6124
Microsemi Corporation
JAN1N6124A
Microsemi Corporation
JAN1N6124AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6124US
Microsemi Corporation
XC4VFX140-10FF1517C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2N
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
10AX027H2F34E2SG
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
5SGSMD5H3F35I4
Intel
LAXP2-8E-5MN132E
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200RC240-3
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel