maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6159
Référence fabricant | JAN1N6159 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6159 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6159 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 38.8V |
Tension - Panne (Min) | 46.08V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 73.61V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 20.33A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6159 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6159-FT |
JAN1N6129A
Microsemi Corporation
JAN1N6129AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6129US
Microsemi Corporation
JAN1N6130
Microsemi Corporation
JAN1N6130A
Microsemi Corporation
JAN1N6130AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6130US
Microsemi Corporation
JAN1N6131
Microsemi Corporation
JAN1N6131A
Microsemi Corporation
JAN1N6131AUS
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
EP4CE22E22I8LN
Intel
5SGXEA4H1F35C2N
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel