maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6129US
Référence fabricant | JAN1N6129US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6129US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6129US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 69.2V |
Tension - Panne (Min) | 82.18V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 131.36V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.8A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6129US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6129US-FT |
JAN1N6104US
Microsemi Corporation
JAN1N6105
Microsemi Corporation
JAN1N6105A
Microsemi Corporation
JAN1N6105AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6105US
Microsemi Corporation
JAN1N6106
Microsemi Corporation
JAN1N6106A
Microsemi Corporation
JAN1N6106AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6106US
Microsemi Corporation
JAN1N6107
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel