maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6129US
Référence fabricant | JAN1N6129US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6129US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6129US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 69.2V |
Tension - Panne (Min) | 82.18V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 131.36V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.8A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6129US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6129US-FT |
JAN1N6104US
Microsemi Corporation
JAN1N6105
Microsemi Corporation
JAN1N6105A
Microsemi Corporation
JAN1N6105AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6105US
Microsemi Corporation
JAN1N6106
Microsemi Corporation
JAN1N6106A
Microsemi Corporation
JAN1N6106AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6106US
Microsemi Corporation
JAN1N6107
Microsemi Corporation
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel