maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6106
Référence fabricant | JAN1N6106 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6106 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6106 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 7.6V |
Tension - Panne (Min) | 9.03V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 15.23V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 32.78A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6106 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6106-FT |
GSOT03-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel