maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6107
Référence fabricant | JAN1N6107 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6107 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6107 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8.4V |
Tension - Panne (Min) | 9.93V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 16.38V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 30.4A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6107 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6107-FT |
GSOT05-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT15-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT15C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
EP4CE22E22I8LN
Intel
5SGXEA4H1F35C2N
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel