maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6130
Référence fabricant | JAN1N6130 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6130 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6130 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 76V |
Tension - Panne (Min) | 90.25V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 144.48V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.42A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6130 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6130-FT |
JAN1N6105
Microsemi Corporation
JAN1N6105A
Microsemi Corporation
JAN1N6105AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6105US
Microsemi Corporation
JAN1N6106
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JAN1N6106A
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JAN1N6106AUS
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JAN1N6106US
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JAN1N6107
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JAN1N6107A
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EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
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M1A3P600L-1FG484
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5SGXEABN1F45C2LN
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5SGXEA5K2F35I2LN
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XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
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EPF10K30EQC208-2
Intel