maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6130US
Référence fabricant | JAN1N6130US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6130US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6130US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 76V |
Tension - Panne (Min) | 90.25V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 144.48V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.42A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6130US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6130US-FT |
JAN1N6105US
Microsemi Corporation
JAN1N6106
Microsemi Corporation
JAN1N6106A
Microsemi Corporation
JAN1N6106AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6106US
Microsemi Corporation
JAN1N6107
Microsemi Corporation
JAN1N6107A
Microsemi Corporation
JAN1N6107AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6107US
Microsemi Corporation
JAN1N6108
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2
Intel
EP3SE50F484I4
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CGXFC7B6M15I7
Intel
LCMXO2-2000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation