maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6117
Référence fabricant | JAN1N6117 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6117 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6117 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 22.8V |
Tension - Panne (Min) | 27.08V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 43.68V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 11.4A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6117 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6117-FT |
IP4340CX15/P,135
Nexperia USA Inc.
IP4342CX5/LF,135
NXP USA Inc.
IP4350CX24/LF,135
NXP USA Inc.
IP4357CX17,135
NXP USA Inc.
IP4363CX10/LF,135
NXP USA Inc.
JAN1N5555
Microsemi Corporation
JAN1N5556
Microsemi Corporation
JAN1N5558
Microsemi Corporation
JAN1N5610
Microsemi Corporation
JAN1N5612
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation