maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N5612
Référence fabricant | JAN1N5612 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N5612 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/434 |
JAN1N5612 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 49V |
Tension - Panne (Min) | 54V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 78.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 19A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | G, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5612 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5612-FT |
DLTS19CA
Microsemi Corporation
DLTS24
Microsemi Corporation
DLTS24A
Microsemi Corporation
DLTS30
Microsemi Corporation
DLTS30A
Microsemi Corporation
DLTS30C
Microsemi Corporation
DLTS30CA
Microsemi Corporation
DLTS5
Microsemi Corporation
DLTS5A
Microsemi Corporation
DLTS8C
Microsemi Corporation
EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
EPF10K30EQC208-2
Intel