maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N5555
Référence fabricant | JAN1N5555 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5555 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/500 |
JAN1N5555 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30.5V |
Tension - Panne (Min) | 33V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 47.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 32A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 (DO-202AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5555 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5555-FT |
DLTS13CA
Microsemi Corporation
DLTS17
Microsemi Corporation
DLTS17A
Microsemi Corporation
DLTS19C
Microsemi Corporation
DLTS19CA
Microsemi Corporation
DLTS24
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DLTS24A
Microsemi Corporation
DLTS30
Microsemi Corporation
DLTS30A
Microsemi Corporation
DLTS30C
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel