maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N5610
Référence fabricant | JAN1N5610 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5610 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/434 |
JAN1N5610 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30.5V |
Tension - Panne (Min) | 33V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 47.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 32A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | G, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5610 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5610-FT |
DLTS19C
Microsemi Corporation
DLTS19CA
Microsemi Corporation
DLTS24
Microsemi Corporation
DLTS24A
Microsemi Corporation
DLTS30
Microsemi Corporation
DLTS30A
Microsemi Corporation
DLTS30C
Microsemi Corporation
DLTS30CA
Microsemi Corporation
DLTS5
Microsemi Corporation
DLTS5A
Microsemi Corporation
XC3S200-5FT256C
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XA6SLX45T-2FGG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
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A42MX24-FPQ208
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5AGZME3E2H29C3N
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10M08DFV81C8G
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XC5VLX110T-2FF1136C
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XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6QN208C
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LFE2-50E-5FN672C
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