maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6117US
Référence fabricant | JAN1N6117US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6117US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6117US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 22.8V |
Tension - Panne (Min) | 27.08V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 43.68V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 11.4A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6117US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6117US-FT |
IP4357CX17,135
NXP USA Inc.
IP4363CX10/LF,135
NXP USA Inc.
JAN1N5555
Microsemi Corporation
JAN1N5556
Microsemi Corporation
JAN1N5558
Microsemi Corporation
JAN1N5610
Microsemi Corporation
JAN1N5612
Microsemi Corporation
JAN1N5629A
Microsemi Corporation
JAN1N5632A
Microsemi Corporation
JAN1N5635A
Microsemi Corporation
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C8L
Intel
EP4SGX530KH40C3
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel