maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N1206A
Référence fabricant | JAN1N1206A |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N1206A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/260 |
JAN1N1206A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 38A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N1206A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N1206A-FT |
HU20260R
Microsemi Corporation
IDB06S60CATMA2
Infineon Technologies
IDC04S60CEX1SA1
Infineon Technologies
IDC04S60CEX7SA1
Infineon Technologies
IDC05S60CEX1SA1
Infineon Technologies
IDC08S120EX1SA3
Infineon Technologies
IDC08S120EX7SA1
Infineon Technologies
IDC08S60CEX1SA2
Infineon Technologies
IDC08S60CEX1SA3
Infineon Technologies
IDC08S60CEX7SA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel