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Référence fabricant | IDC08S120EX1SA3 |
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Numéro de pièce future | FT-IDC08S120EX1SA3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
IDC08S120EX1SA3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 7.5A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 7.5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 180µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Sawn on foil |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC08S120EX1SA3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDC08S120EX1SA3-FT |
GP10KE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-062M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7007M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7009M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel